@ º¸¾ÈÁ¢¼Ó
HOME > ÀÚ·á½Ç > ±³À°ÀÚ·á½Ç
Á¤Àü±âÀÇ ±âÃÊ(3)(Á¤Àü±â¿¡ ÀÇÇÑ ICÀÇ Æı«)
°ü¸®ÀÚ 2008-04-04 7255

 

Á¤Àü±â¿¡ ÀÇÇÑ ICÀÇ Æı«

 ¡ÝICÆı«ÀÇ ¿äÀÎ  
   ¨ç ÀÎüÀÇ ´ëÀü¿¡ ÀÇÇÑ ¹æÀü  
   ¨è ICÀÚü ´ëÀü¿¡ ÀÇÇÑ ¹æÀü
   ¨é ´ëÀü¹°Ã¼ºÎÅÍÀÇ ¹æÀü
   ¨ê °ú´ëÇÑ ¿ÜºÎ ³ëÀÌÁîÀÇ Ä§ÀÔ
   ¨ë Àü°è(ï³Í£)¿¡ ÀÇÇÑ Á¤Àü À¯µµ




¡ÝÀÎü´ëÀü (ìÑ体Óáï³)°ú Àü°Ý(ï³Ìª)ÀÇ °­µµ¿ÍÀÇ °ü°è

ÀÎü´ëÀü ÀüÀ§ Àü°ÝÀÇ °­µµ ºñ°í
1,000 V ÀüÇô °¨ÁöÇÏÁö ¸øÇÔ  
2,000 V ¼Õ³¡À¸·Î ´À³¢Áö¸¸ ÅëÁõÀº ¾øÀ½ ¹Ì¹ÌÇÑ ¹æÀüÀ½ ¹ß»ý  
3,000 V ¹Ù´Ã·Î Â´ÂµíÇÑ ´À³¦À» ¹Þ°í µû²ûÇÔ  
4,000 V ¹Ù´Ã·Î ±í¼÷È÷ Âñ¸°µíÇÏ°í ¾ÆÂñÇÑ ÅëÁõ ¼ø°£ÀûÀÎ ¹æÀüÀÇ ºÒ²ÉÀÌ Æ¢±è
5,000 V ¼Õ³¡¿¡¼­ ÆȱîÁö ÅëÁõÀ» ´À³¦ ¼Õ³¡¿¡¼­ ¹æÀüºÒ²ÉÀÌ ´Ã¾îÁü


Á¤Àü±â(ð¡ï³Ñ¨)¿¡ Ãë¾àÇÑ IC

 

¡Ø »ç¶÷À» 2~3KVÀÌ»óÀÇ Á¤Àü LevelÀÌ µÇÁö ¾ÊÀ¸¸é ¹æÀüÀ» °¨ÁöÇÏÁö ¾ÊÀ½
 ¡Ø »ç¶÷Àº ¿òÁ÷ÀÌ´Â ´ëÀüü(Óáï³体)ÀÌ´Ù.

¡Ý °¢Á¾ IC Device°¡ Æı«µÇ´Â Á¤Àü±â Level

Á¾ ·ù Àü¾Ð¹üÀ§ (V)  
VMOS 30 ~ 1,800
MOSFET 100 ~ 200
EPROM 100 ~  
JFET 140 ~ 7,000
SAW 150 ~ 500
CMOS 250 ~ 3,000
ECL 500 ~ 1,500
SCHOTTKY TTL 1,000 ~ 2,500



 ¡Ø µû¶ó¼­ ´ëºÎºÐÀÇ °æ¿ì ÁÖÀǸ¦ ±â¿ïÀÌÁö ¾ÊÀ¸¸é IC´Â Æı«µÇ°Å³ª ºÒ·®ÀÌ ¹ß»ýÇÑ´Ù.

 


 

Á¤Àü±âÀÇ ±âÃÊ(4)(Á¤Àü±âÀÇ Á¦¾î¿Í ¹æÁö ´ëÃ¥)
BCRÀÇ Á¾·ù1 (½ÄÇ°°ø¾÷Æí)