Á¤Àü±â¿¡ ÀÇÇÑ ICÀÇ Æı«
¡ÝICÆı«ÀÇ ¿äÀÎ |
|
¨ç ÀÎüÀÇ ´ëÀü¿¡ ÀÇÇÑ ¹æÀü |
|
¨è ICÀÚü ´ëÀü¿¡ ÀÇÇÑ ¹æÀü |
¨é ´ëÀü¹°Ã¼ºÎÅÍÀÇ ¹æÀü |
¨ê °ú´ëÇÑ ¿ÜºÎ ³ëÀÌÁîÀÇ Ä§ÀÔ |
¨ë Àü°è(ï³Í£)¿¡ ÀÇÇÑ Á¤Àü À¯µµ |
¡ÝÀÎü´ëÀü (ìÑ体Óáï³)°ú Àü°Ý(ï³Ìª)ÀÇ °µµ¿ÍÀÇ °ü°è
ÀÎü´ëÀü ÀüÀ§ |
Àü°ÝÀÇ °µµ |
ºñ°í |
1,000 V |
ÀüÇô °¨ÁöÇÏÁö ¸øÇÔ |
|
2,000 V |
¼Õ³¡À¸·Î ´À³¢Áö¸¸ ÅëÁõÀº ¾øÀ½ ¹Ì¹ÌÇÑ ¹æÀüÀ½ ¹ß»ý |
|
3,000 V |
¹Ù´Ã·Î Â´ÂµíÇÑ ´À³¦À» ¹Þ°í µû²ûÇÔ |
|
4,000 V |
¹Ù´Ã·Î ±í¼÷È÷ Âñ¸°µíÇÏ°í ¾ÆÂñÇÑ ÅëÁõ |
¼ø°£ÀûÀÎ ¹æÀüÀÇ ºÒ²ÉÀÌ Æ¢±è |
5,000 V |
¼Õ³¡¿¡¼ ÆȱîÁö ÅëÁõÀ» ´À³¦ |
¼Õ³¡¿¡¼ ¹æÀüºÒ²ÉÀÌ ´Ã¾îÁü |
Á¤Àü±â(ð¡ï³Ñ¨)¿¡ Ãë¾àÇÑ IC
¡Ø »ç¶÷À» 2~3KVÀÌ»óÀÇ Á¤Àü LevelÀÌ µÇÁö ¾ÊÀ¸¸é ¹æÀüÀ» °¨ÁöÇÏÁö ¾ÊÀ½ ¡Ø »ç¶÷Àº ¿òÁ÷ÀÌ´Â ´ëÀüü(Óáï³体)ÀÌ´Ù.
¡Ý °¢Á¾ IC Device°¡ Æı«µÇ´Â Á¤Àü±â Level
Á¾ ·ù |
Àü¾Ð¹üÀ§ (V) |
VMOS |
30 |
~ |
1,800 |
MOSFET |
100 |
~ |
200 |
EPROM |
100 |
~ |
|
JFET |
140 |
~ |
7,000 |
SAW |
150 |
~ |
500 |
CMOS |
250 |
~ |
3,000 |
ECL |
500 |
~ |
1,500 |
SCHOTTKY TTL |
1,000 |
~ |
2,500 |
¡Ø µû¶ó¼ ´ëºÎºÐÀÇ °æ¿ì ÁÖÀǸ¦ ±â¿ïÀÌÁö ¾ÊÀ¸¸é IC´Â Æı«µÇ°Å³ª ºÒ·®ÀÌ ¹ß»ýÇÑ´Ù.
|